Imaginea este pentru referință, vă rugăm să ne contactați pentru a obține o imagine reală

SQJ262EP-T1_GE3

Numărul piesei producătorului:	SQJ262EP-T1_GE3
Producător:	Vishay / Siliconix
Parte din Descriere:	MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Foi de date:	SQJ262EP-T1_GE3 Foi de date
Stare fără plumb / Stare RoHS:	Fără plumb / Conform RoHS
Starea stocului:	În stoc
Barca din:	Hong Kong
Mod de expediere:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAȚIE: Vishay / Siliconix SQJ262EP-T1_GE3 este disponibil la chipnets.com. Vindem doar piese noi și originale și oferim 1 an de garanție. Dacă doriți să aflați mai multe despre produse sau să aplicați un preț mai bun, vă rugăm să ne contactați, faceți clic pe Chat online sau trimiteți-ne o ofertă.

Toate componentele electronice vor fi ambalate în siguranță prin protecție antistatică ESD.

package

Specificație

Tip	Descriere
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Pachet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Starea piesei	Active
Tip FET	2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET	Standard
Tensiunea de scurgere la sursă (Vdss)	60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25 ° C	15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Putere - Max	27W (Tc), 48W (Tc)
Temperatura de Operare	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare	Surface Mount
Pachet / Cutie	PowerPAK® SO-8 Dual
Pachetul dispozitivului furnizorului	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

OPȚIUNI DE CUMPĂRARE

Starea stocului: 825

Minim: 1

Cantitate	Preț unitar	Ext. Preț
Prețul nu este disponibil, vă rugăm să solicitați

Calculul de marfă

40 USD de FedEx.

Ajunge in 3-5 zile

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Livrare gratuită pentru primele 0,5 kg pentru comenzile de peste 150 USD, supragreutatea va fi taxată separat

Modele populare

Acest articol a fost adăugat în coșul dumneavoastră.