Imaginea este pentru referință, vă rugăm să ne contactați pentru a obține o imagine reală

SIS888DN-T1-GE3

Numărul piesei producătorului:	SIS888DN-T1-GE3
Producător:	Vishay / Siliconix
Parte din Descriere:	MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Foi de date:	SIS888DN-T1-GE3 Foi de date
Stare fără plumb / Stare RoHS:	Fără plumb / Conform RoHS
Starea stocului:	În stoc
Barca din:	Hong Kong
Mod de expediere:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAȚIE: Vishay / Siliconix SIS888DN-T1-GE3 este disponibil la chipnets.com. Vindem doar piese noi și originale și oferim 1 an de garanție. Dacă doriți să aflați mai multe despre produse sau să aplicați un preț mai bun, vă rugăm să ne contactați, faceți clic pe Chat online sau trimiteți-ne o ofertă.

Toate componentele electronice vor fi ambalate în siguranță prin protecție antistatică ESD.

package

Specificație

Tip	Descriere
Serie	ThunderFET®
Pachet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Starea piesei	Active
Tip FET	N-Channel
Tehnologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tensiunea de scurgere la sursă (Vdss)	150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25 ° C	20.2A (Tc)
Tensiunea de acționare (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 75 V
Caracteristică FET	-
Disiparea puterii (Max)	52W (Tc)
Temperatura de Operare	-55°C ~ 150°C (TA)
Tipul de montare	Surface Mount
Pachetul dispozitivului furnizorului	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Pachet / Cutie	PowerPAK® 1212-8S

OPȚIUNI DE CUMPĂRARE

Starea stocului: 3097

Minim: 1

Cantitate	Preț unitar	Ext. Preț
Prețul nu este disponibil, vă rugăm să solicitați

Calculul de marfă

40 USD de FedEx.

Ajunge in 3-5 zile

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Livrare gratuită pentru primele 0,5 kg pentru comenzile de peste 150 USD, supragreutatea va fi taxată separat

Modele populare

Acest articol a fost adăugat în coșul dumneavoastră.