Imaginea este pentru referință, vă rugăm să ne contactați pentru a obține o imagine reală

G2R1000MT17D

Numărul piesei producătorului:	G2R1000MT17D
Producător:	GeneSiC Semiconductor
Parte din Descriere:	SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
Foi de date:	G2R1000MT17D Foi de date
Stare fără plumb / Stare RoHS:	Fără plumb / Conform RoHS
Starea stocului:	În stoc
Barca din:	Hong Kong
Mod de expediere:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAȚIE: GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D este disponibil la chipnets.com. Vindem doar piese noi și originale și oferim 1 an de garanție. Dacă doriți să aflați mai multe despre produse sau să aplicați un preț mai bun, vă rugăm să ne contactați, faceți clic pe Chat online sau trimiteți-ne o ofertă.

Toate componentele electronice vor fi ambalate în siguranță prin protecție antistatică ESD.

package

Specificație

Tip	Descriere
Serie	G2R™
Pachet	Tube
Starea piesei	Active
Tip FET	N-Channel
Tehnologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiunea de scurgere la sursă (Vdss)	1700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Tensiunea de acționare (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	+20V, -5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds	139 pF @ 1000 V
Caracteristică FET	-
Disiparea puterii (Max)	53W (Tc)
Temperatura de Operare	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipul de montare	Through Hole
Pachetul dispozitivului furnizorului	TO-247-3
Pachet / Cutie	TO-247-3

OPȚIUNI DE CUMPĂRARE

Starea stocului: Livrare în aceeași zi

Minim: 1

Cantitate	Preț unitar	Ext. Preț
Prețul nu este disponibil, vă rugăm să solicitați

Calculul de marfă

40 USD de FedEx.

Ajunge in 3-5 zile

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Livrare gratuită pentru primele 0,5 kg pentru comenzile de peste 150 USD, supragreutatea va fi taxată separat

Modele populare

	G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor
	G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor
	G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor
	G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor

Acest articol a fost adăugat în coșul dumneavoastră.