Imaginea este pentru referință, vă rugăm să ne contactați pentru a obține o imagine reală

TW070J120B,S1Q

Numărul piesei producătorului:	TW070J120B,S1Q
Producător:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Parte din Descriere:	SICFET N-CH 1200V 36A TO3P
Stare fără plumb / Stare RoHS:	Fără plumb / Conform RoHS
Starea stocului:	În stoc
Barca din:	Hong Kong
Mod de expediere:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAȚIE: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TW070J120B,S1Q este disponibil la chipnets.com. Vindem doar piese noi și originale și oferim 1 an de garanție. Dacă doriți să aflați mai multe despre produse sau să aplicați un preț mai bun, vă rugăm să ne contactați, faceți clic pe Chat online sau trimiteți-ne o ofertă.

Toate componentele electronice vor fi ambalate în siguranță prin protecție antistatică ESD.

package

Specificație

Tip	Descriere
Serie	*
Pachet	Tube
Starea piesei	Active
Tip FET	N-Channel
Tehnologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiunea de scurgere la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25 ° C	36A (Tc)
Tensiunea de acționare (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 18A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.8V @ 20mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs	67 nC @ 20 V
Vgs (max)	±25V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds	1680 pF @ 800 V
Caracteristică FET	Standard
Disiparea puterii (Max)	272W (Tc)
Temperatura de Operare	-55°C ~ 175°C
Tipul de montare	Through Hole
Pachetul dispozitivului furnizorului	TO-3P(N)
Pachet / Cutie	TO-3P-3, SC-65-3

OPȚIUNI DE CUMPĂRARE

Starea stocului: 273

Minim: 1

Cantitate	Preț unitar	Ext. Preț
Prețul nu este disponibil, vă rugăm să solicitați

Calculul de marfă

40 USD de FedEx.

Ajunge in 3-5 zile

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Livrare gratuită pentru primele 0,5 kg pentru comenzile de peste 150 USD, supragreutatea va fi taxată separat

Modele populare

	TW070J120B,S1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Acest articol a fost adăugat în coșul dumneavoastră.