Imaginea este pentru referință, vă rugăm să ne contactați pentru a obține o imagine reală

BSM180C12P2E202

Numărul piesei producătorului:	BSM180C12P2E202
Producător:	ROHM Semiconductor
Parte din Descriere:	SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Foi de date:	BSM180C12P2E202 Foi de date
Stare fără plumb / Stare RoHS:	Fără plumb / Conform RoHS
Starea stocului:	În stoc
Barca din:	Hong Kong
Mod de expediere:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAȚIE: ROHM Semiconductor BSM180C12P2E202 este disponibil la chipnets.com. Vindem doar piese noi și originale și oferim 1 an de garanție. Dacă doriți să aflați mai multe despre produse sau să aplicați un preț mai bun, vă rugăm să ne contactați, faceți clic pe Chat online sau trimiteți-ne o ofertă.

Toate componentele electronice vor fi ambalate în siguranță prin protecție antistatică ESD.

package

Specificație

Tip	Descriere
Serie	-
Pachet	Tray
Starea piesei	Active
Tip FET	N-Channel
Tehnologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiunea de scurgere la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25 ° C	204A (Tc)
Tensiunea de acționare (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	+22V, -6V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds	20000 pF @ 10 V
Caracteristică FET	-
Disiparea puterii (Max)	1360W (Tc)
Temperatura de Operare	175°C (TJ)
Tipul de montare	Chassis Mount
Pachetul dispozitivului furnizorului	Module
Pachet / Cutie	Module

OPȚIUNI DE CUMPĂRARE

Starea stocului: 4

Minim: 1

Cantitate	Preț unitar	Ext. Preț
Prețul nu este disponibil, vă rugăm să solicitați

Calculul de marfă

40 USD de FedEx.

Ajunge in 3-5 zile

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Livrare gratuită pentru primele 0,5 kg pentru comenzile de peste 150 USD, supragreutatea va fi taxată separat

Modele populare

	BSM180C12P2E202 ROHM Semiconductor
	BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor

Acest articol a fost adăugat în coșul dumneavoastră.