Imaginea este pentru referință, vă rugăm să ne contactați pentru a obține o imagine reală

RS1E200BNTB

Numărul piesei producătorului:	RS1E200BNTB
Producător:	ROHM Semiconductor
Parte din Descriere:	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Foi de date:	RS1E200BNTB Foi de date
Stare fără plumb / Stare RoHS:	Fără plumb / Conform RoHS
Starea stocului:	În stoc
Barca din:	Hong Kong
Mod de expediere:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OBSERVAȚIE: ROHM Semiconductor RS1E200BNTB este disponibil la chipnets.com. Vindem doar piese noi și originale și oferim 1 an de garanție. Dacă doriți să aflați mai multe despre produse sau să aplicați un preț mai bun, vă rugăm să ne contactați, faceți clic pe Chat online sau trimiteți-ne o ofertă.

Toate componentele electronice vor fi ambalate în siguranță prin protecție antistatică ESD.

package

Specificație

Tip	Descriere
Serie	-
Pachet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Starea piesei	Active
Tip FET	N-Channel
Tehnologie	MOSFET (Metal Oxide)
Tensiunea de scurgere la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Tensiunea de acționare (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds	3100 pF @ 15 V
Caracteristică FET	-
Disiparea puterii (Max)	3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de Operare	150°C (TJ)
Tipul de montare	Surface Mount
Pachetul dispozitivului furnizorului	8-HSOP
Pachet / Cutie	8-PowerTDFN

OPȚIUNI DE CUMPĂRARE

Starea stocului: 374

Minim: 1

Cantitate	Preț unitar	Ext. Preț
Prețul nu este disponibil, vă rugăm să solicitați

Calculul de marfă

40 USD de FedEx.

Ajunge in 3-5 zile

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Livrare gratuită pentru primele 0,5 kg pentru comenzile de peste 150 USD, supragreutatea va fi taxată separat

Modele populare

Acest articol a fost adăugat în coșul dumneavoastră.